1N6480HE3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | 1N6480HE3/96 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-213AB |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | SUPERECTIFIER® |
Verpackung / Gehäuse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | 1N6480 |
1N6480HE3/96 Einzelheiten PDF [English] | 1N6480HE3/96 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 500V DO35
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
DIODE GP REV 500V 400MA DO35
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
DIODE GP 400V 400MA DO213AA
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 1N6480HE3/96Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|